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爆売り! キオクシア:酸化物半導体を用いた新しいDRAM(OCTRAM)技術の 洋書

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管理番号 新品 :27880328899
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メーカー b1fe4c1 発売日 2025-05-15 19:16 定価 12000円
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爆売り! キオクシア:酸化物半導体を用いた新しいDRAM(OCTRAM)技術の 洋書

キオクシア:酸化物半導体を用いた新しいDRAM(OCTRAM)技術の。技術情報 | 製品案内 | 高品質ガスセンサーのNISSHAエフ。ディープラーニングを高速化する三次元集積デバイスを開発――酸化。UCC 職人の珈琲 ドリップコーヒー あまい香りのリッチブレンド 32袋。Physics and Technology of Crystalline Oxide Semiconductor CAAC-IGZO : Application to Lsi (Wiley-sid Series in Display Technology)2017 John Wiley and Sons酸化物半導体IGZOのLSI応用をまとめた書籍です。This book describes the application of c-axis aligned crystalline In-Ga-Zn oxide (CAAC-IGZO) technology in large-scale integration (LSI) circuits. The applications include Non-volatile Oxide Semiconductor Random Access Memory (NOSRAM), Dynamic Oxide Semiconductor Random Access Memory (DOSRAM), central processing unit (CPU), field-programmable gate array (FPGA), image sensors, and etc. The book also covers the device physics (e.g., off-state characteristics) of the CAAC-IGZO field effect transistors (FETs) and process technology for a hybrid structure of CAAC-IGZO and Si FETs. It explains an extremely low off-state current technology utilized in the LSI circuits, demonstrating reduced power consumption in LSI prototypes fabricated by the hybrid process.。機能材料化学研究室 | Functional Materials Chemistry Lab.

 

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